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? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB495D
0
5
10
15
20
25
30
AVE:8.6ns
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(A)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT：Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
0.001
0.01
0.1
1
0 100 200 300 400 500 600
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
1
10
100
0 5 10 15 20 25 30
f=1MHz
330
340
350
360
370
380
AVE:359.0mV
Ta=25℃
IF=200mA
n=30pcs
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Ta=25℃
VR=25V
n=30pcs
AVE:33.62uA
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
AVE:71.8pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0
5
10
15
20
25
30
AVE:12.50A
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
15
20
1 10 100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
15
20
1 10 100
t
Ifsm
1
10
100
1000
0.001 0.1 10 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=1mA IF=10mA
300us
time
Mounted on epoxy board
0
0.1
0.2
0.3
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Per chip
DC
D=1/2
Sin(θ＝180)
2/3
2012.09 - Rev.C
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